動態(tài)二次離子質(zhì)譜分析（D-SIMS）
1. 飛行時間二次離子質(zhì)譜技術(shù)
二次離子質(zhì)譜技術(shù)（Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，D-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，通過用一次離子激發(fā)樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據(jù)二次離子的質(zhì)量來測定元素種類，具有極高分辨率和檢出限的表面分析技術(shù)。D-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素結(jié)構(gòu)信息，其特點在二次離子來自表面單個原子層（1nm以內(nèi)），僅帶出表面的化學(xué)信息，具有分析區(qū)域小、分析深度淺和檢出限高的特點，廣泛應(yīng)用于物理，化學(xué)，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。
2. 動態(tài)二次離子質(zhì)譜分析（D-SIMS）可為客戶解決的產(chǎn)品質(zhì)量問題
（1）當(dāng)產(chǎn)品表面存在微小的異物，而常規(guī)的成分測試方法無法準(zhǔn)確對異物進行定性定量分析，可選擇D-SIMS進行分析，D-SIMS能分析10nm直徑的異物成分。
（2）當(dāng)產(chǎn)品表面膜層太薄，無法使用常規(guī)測試進行膜厚測量，可選擇D-SIMS進行分析，利用D-SIMS測量1nm的超薄膜厚。
（3）當(dāng)產(chǎn)品表面有多層薄膜，需測量各層膜厚及成分，利用D-SIMS能準(zhǔn)確測定各層薄膜厚度及組成成分。
（4）當(dāng)膜層與基材截面出現(xiàn)分層等問題，但是未能觀察到明顯的異物痕跡，可使用D-SIMS分析表面超痕量物質(zhì)成分，以確定截面是否存在外來污染，檢出限高達ppb級別。
（5）摻雜工藝中，摻雜元素的含量一般是在ppm-ppb之間，且深度可達幾十微米，使用常規(guī)手段無法準(zhǔn)確測試摻雜元素從表面到心部的濃度分布，利用D-SIMS可以完成這方面參數(shù)測試。
3. 動態(tài)二次離子質(zhì)譜分析（D-SIMS）注意事項
（1）樣品最大規(guī)格尺寸為1cm,1cm,0.5cm，當(dāng)樣品尺寸過大需切割取樣，樣品表面必須平整。
（2）取樣的時候避免手和取樣工具接觸到需要測試的位置，取下樣品后使用真空包裝或其他能隔離外界環(huán)境的包裝， 避免外來污染影響分析結(jié)果。
（3）D-SIMS測試的樣品不受導(dǎo)電性的限制，絕緣的樣品也可以測試。
（4）D-SIMS元素分析范圍H-U，檢出限ppb級別。
4.應(yīng)用實例
樣品信息：P92鋼陽極氧化膜厚度分析。
分析結(jié)果：氧化膜厚度為20nm，從表面往心部成分分布：0-4nmFe2O3，4-9nmFe3O4,9-15nm（Fe.Cr）3O4,15-20nm合金化混合區(qū)。
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